超高真空薄膜作製装置

高品質な金属多層膜膜を作製します。

磁場中熱処理装置

磁場中（1 T以下）で試料の熱処理（700℃まで）を行います。

イオンミリング装置

フォリリソグラフィや電子ビーム描画装置にてレジストパターンを作製後、Arイオンを利用して薄膜試料を加工します。二次イオン質量分析法にて表面から飛び出る元素を検出できます。

スクライバ―

ウエハー上に作製した素子を測定装置に設置するために切り出します。

磁気伝導測定用プローバー

温度(10-300 K)や磁場(0.8 Tまで)を変化させながら、デバイスの特性評価を行います。

ネットワークアナライザ

試料のマイクロ波応答（26GHz以下）を測定します。

リアルタイムオシロスコープ

試料の電気的高速時間応答（１ナノ秒以下）を測定します。

電気的特性評価機器

いろいろ組み合わせて素子の電気および磁気的特性を評価します。