実験装置

超高真空薄膜作製装置



高品質な金属多層膜膜を作製します。

磁場中熱処理装置



磁場中(1 T以下)で試料の熱処理(700℃まで)を行います。

イオンミリング装置



フォリリソグラフィや電子ビーム描画装置にてレジストパターンを作製後、Arイオンを利用して薄膜試料を加工します。二次イオン質量分析法にて表面から飛び出る元素を検出できます。

スクライバ―



ウエハー上に作製した素子を測定装置に設置するために切り出します。

磁気伝導測定用プローバー



温度(10-300 K)や磁場(0.8 Tまで)を変化させながら、デバイスの特性評価を行います。

ネットワークアナライザ



試料のマイクロ波応答(26GHz以下)を測定します。

リアルタイムオシロスコープ



試料の電気的高速時間応答(1ナノ秒以下)を測定します。

電気的特性評価機器

いろいろ組み合わせて素子の電気および磁気的特性を評価します。

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